中国或在2030年前实现自主光刻系统研发

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中国或在2030年前实现自主光刻系统研发

2026-09-17

围绕光刻机的技术竞争，各方近期的观点引发了热议。英伟达首席执行官黄仁勋认为，中国在2030年前能够自主研发出先进的光刻系统，这一观点令一些人振奋，也让另一部分人表示怀疑。而蔡司的相关负责人则认为中国需要至少十五年的时间才能赶上顶级光刻机，这在同一行业内，两种观点的时间差距达到十年。

黄仁勋提到的“先进光刻系统”实际上是一个整体工程体系，而蔡司所指的则是被称为工业“皇冠明珠”的EUV光刻技术。两者的定义不同，导致了时间预估的极大差异。蔡司的EUV光刻机面临一系列技术难关，如利用极紫外线光波的反射式镜头，这些技术难度远超传统方法。

蔡司在镜头工艺上需要追求极致的精度，这意味着在加工时，连微小的灰尘都会造成昂贵的损失。而黄仁勋则更关注在整体芯片制造上的多重曝光技术。他提出的多重曝光理念为中国现有的光刻技术提供了新的思路。此外，黄仁勋的公司还开发了使用GPU技术的光刻模拟平台，大幅提高了效率，这相当于给光学系统加上了AI能力，缩短了优化时间。 龙8国际登录

在光刻技术不断演进的同时，黄仁勋强调，如果中国能在终端计算力上取得成功，光刻机的具体纳米级别或许并不重要。他坚信在五年内，中国能够实现支持本土芯片生产的光刻系统。

随着上海地区的公司整合研发力量并启动浸润式DUV光刻机的量产计划，市场对这一消息的反应迅速导致相关公司的股价下跌。虽然中国的浸润式DUV光刻机数量仍然有限，但市场对未来的预期影响深远。同时，有关中国EUV光刻机试制的消息也在业内流传。预期到2030年，中国有可能实现EUV量产，与华为等公司的相关开发项目相辅相成。

最终，这些产业的进展正不断印证黄仁勋所预测的五年时间框架，而蔡司的高管也承认出口管制并未阻止技术进步，反而刺激了中国的本土创新。 龙8国际登录

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